全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOSFET 1200 V G2。這款新型半導體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統效率和功率密度，專為應對工業(yè)應用的高性能和高可靠性要求而設計，例如電動汽車充電機、光伏逆變器、不間斷電源、電機驅動和固態(tài)斷路器等。采用Q-DPAK封裝的CoolSiC??MOSFET 1200V G2這款CoolSiC 1200 V G2所采用的技術相較于上一代產品有顯著的提升，可在導通電阻（
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英飛凌 CoolSiC MOSFET 1200V
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業(yè)功率轉換應用的系統效率和功率密度而設計。它提供一系列精細化的產品組合，在25°C時R?DS(on)?值為4至60 mΩ，廣泛適用于車載充電器（OBC）、?DC-DC轉換器、電動汽車（xEV）輔助設備等應用，以及電動汽車充電、光伏逆變器、儲能系統、通訊和開關電源（SMPS）等工業(yè)應用。英飛
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英飛凌 超低導通電阻 CoolSiC
近日，為推動下一代固態(tài)配電系統的發(fā)展，英飛凌科技股份公司正在擴展其碳化硅（SiC）產品組合，推出了新型CoolSiC? JFET產品系列。新系列產品擁有極低的導通損耗、出色的關斷能力和高可靠性，使其成為先進固態(tài)保護與配電系統的理想之選。憑借強大的短路能力、線性模式下的熱穩(wěn)定性以及精確的過壓控制，CoolSiC? JFET可在各種工業(yè)和汽車應用中實現可靠且高效的系統性能，包括固態(tài)斷路器（SSCB）、AI數據中心熱插拔模塊、電子熔斷器、電機軟啟動器、工業(yè)安全繼電器以及汽車電池隔離開關等。英飛凌科技零碳工業(yè)功率
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英飛凌 CoolSiC JFET 固態(tài)配電
CoolSiC?肖特基二極管10-80A 2000V G5系列現在也采用TO-247-2封裝。在高達1500V的高直流母線系統中，該二極管可實現更高的效率和設計簡化。此外，由于采用了.XT互聯技術，它們還具有一流的散熱性能。該二極管與配套的CoolSiC? MOSFET 2000V產品完美匹配。產品型號：■ IDWD10G200C5■ IDWD25G200C5■ IDWD40G200C5■ IDWD50G200C5■ IDWD80G200C5產品特點■ 無
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二極管 CoolSiC
目前，許多工業(yè)應用正朝著更高功率水平、且功率損耗最小化的方向發(fā)展，實現這一目標的方法之一是提高直流母線電壓。針對這一市場趨勢，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）于?2024年9月推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V G5產品系列，這是首款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅二極管分立器件。該產品系列目前擴展到TO-247-2封裝，其引腳可與現有的大多數TO-247-2封裝兼容。該產品系列非常適合最高直流母線電壓為15
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英飛凌 CoolSiC 肖特基二極管
電子行業(yè)正在向更加緊湊而強大的系統快速轉型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統層面的創(chuàng)新，全球功率系統、汽車和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司正在擴展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產品系列。這兩個產品系列采用頂部和底部冷卻并基于CoolSiC? Generation 2（G2）?技術，其性能、可靠性和易用性均有顯著提高。它們專門用于中高功率開關模式電源（SMPS）開發(fā)，包括AI服務器、可再生能源、充電樁、電動交通工
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英飛凌 CoolSiC MOSFET
采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC? MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技術的優(yōu)勢為基礎，加快了系統設計的成本優(yōu)化，實現高效率、緊湊設計和可靠性。第二代產品在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。產品型號：■ IMZC120R012M2H■ IMZC120R017M2H■ IMZC120R022M2H■ IMZC120R026M2H■&
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CoolSiC MOSFET
前言人工智能（AI）的迅猛發(fā)展推動了數據中心處理能力的顯著增長。如圖1所示，英飛凌預測單臺GPU的功耗將呈指數級上升，預計到2030年將達到約2000W?[1]?，而AI服務器機架的峰值功耗將突破驚人的300kW。這一趨勢促使數據中心機架的AC和DC配電系統進行架構升級，重在減少從電網到核心設備的電力轉換和配送過程中的功率損耗。圖2（右）展示了開放計算項目（OCP）機架供電架構的示例。每個電源架由三相輸入供電，可容納多臺PSU；每臺PSU由單相輸入供電。機架將直流電壓（例如，50V）輸
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英飛凌 AI CoolSiC CoolGaN
提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入?(NPI)?代理商貿澤電子(Mouser Electronics)即日起開售英飛凌的HybridPACK? Drive G2模塊。HybridPACK Drive G2模塊基于HybridPACK Drive G1，在相同的緊湊尺寸下提供更高的功率密度。HybridPACK Drive G2模塊是一款高效率的汽車功率模塊，適用于電動汽車?(EV)?以及混合動力電動汽車?(HEV)?的牽引逆變器。英
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貿澤 電動汽車 牽引逆變器 英飛凌 HybridPACK Drive G2 驅動逆變器
隨著社會經濟發(fā)展、能源結構變革，近幾年全球對家用儲能系統的需求量一直保持相當程度的增長。2023年，全球家用儲能系統市場銷售額達到了87.4億美元，預計2029年將達到498.6億美元，年復合增長率（CAGR）為33.68%（2023-2029）；便攜儲能市場經過了一輪爆發(fā)式增長的狂歡后，現在也迎來了穩(wěn)定增長期，從未來看，預計在2027年便攜儲能市場將達到900億元；AI
Server市場規(guī)模持續(xù)增長，帶來了數字化、智能化服務器所需的高功率服務器電源的需求，現在單機3KW的Power也成為了標配。對于
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Infineon XMC1400 CoolSiC Mosfet 高功率密度 雙向圖騰柱 PFC 數字電源
專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產品授權代理商貿澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅?(SiC) MOSFET溝槽技術，開啟了電力系統和能量轉換的新篇章，適用于光伏逆變器、能量儲存系統、電動汽車充電、電源和電機驅動應用。貿澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2?MOSFET可在所有常見電源方案組合（AC-DC、DC-DC和DC-A
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貿澤 英飛凌 CoolSiC G2 MOSFET
隨著人工智能（AI）處理器對功率的要求日益提高，服務器電源（PSU）必須在不超出服務器機架規(guī)定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因為高級GPU的能源需求激增。到本十年末，每顆高級GPU芯片的能耗可能達到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應用和相關特定客戶需求的出現，促使英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）開發(fā)電壓650 V以下的SiC MOSFET產品。現在，英飛凌基于今年早些時候發(fā)布的第二代（G2）CoolSiCTM技術，推出全新CoolSiC??MOS
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英飛凌 CoolSiC MOSFET AI服務器電源
在技術進步和低碳化日益受到重視的推動下，電子行業(yè)正在向結構更緊湊、功能更強大的系統轉變。英飛凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正在積極支持并加速這一趨勢。這些產品能夠更大程度地利用PCB主板和子卡，同時兼顧系統的散熱要求和空間限制。目前，英飛凌正在通過采用?Thin-TOLL 8x8?和?TOLT?封裝的兩個全新產品系列，擴展其?CoolSiC? MOSFET分立式半導體器件?650 V產品組合。這兩個產品系列基于Coo
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英飛凌 CoolSiC MOSFET
英飛凌科技股份公司近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以滿足工業(yè)和汽車功率應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產品系列包含工業(yè)級和車規(guī)級SiC MOSFET，針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋（DAB）、HERIC、降壓/升壓和移相全橋（PSFB）拓撲結構進行了優(yōu)化。這些MOSFET適用于典型的工業(yè)應用（包括電動汽車充電、工業(yè)驅動器、太陽能和儲能系統、固態(tài)斷路器、UPS系統、服務器/數據中心、電信等）和汽車領域（包括車載充電器（OBC）、直流-直流轉換器等）
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英飛凌 CoolSiC
英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC??MOSFET?2000?V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14 mm，電氣間隙為5
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英飛凌 CoolSiC MOSFET
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